株式会社エヌエフ回路設計ブロック
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微少信号測定器

新製品

ディジタルロックインアンプ

LI5600シリーズ

TMR(トンネル磁気抵抗効果)の測定  
~非弾性電子トンネル分光法(IETS法)~  

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point スピントロニクス

point 磁性体界面側手

point トンネル接合

 point 変調法

 

強磁性体や絶縁体の界面状態を調べる手法が非弾性電子トンネル分光法(IETS 法)です。トンネル接合における伝導 特性を評価します。通常のI-V 測定では特性変化の観測が難しいため、微分や2次微分を使って評価します。 ロックインアンプは出力が微分特性で、機種によっては2 次微分を直接出力することが可能です。2 次微分の特性がIETS、変化値を微分信号で直接測定する方法が変調法です。
ロックインアンプはIETS や変調法に適した測定器です。

NFのロックインアンプを使用すれば・・・

 

point

参照信号の整数倍(分数倍)の周波数測定が可能な“分数調波測定機能”により、2次微分出力が容易

 

  point 最高測定周波数11MHzにより、重畳交流信号の高周波化が可能(LI5660)  
  point 最大入力電圧10Vにより、比較的大きな測定電圧を直接測定可能(LI5660)  

測定例

測定例

 

  • 電流スペクトル(a) I-V 特性は変化が小さいのに対して、電流変化を微分した(b) または2 次微分した(c) は
    特性の変化の観測が容易です。 
  • 試料は絶縁体を導体で挟んだ構造です。
  • 試料に直流に交流を重畳した電圧を印加し、ロックインアンプで電圧を測定します。
  • 試料に重畳した交流信号の周波数をロックインアンプの参照信号として使用します。
  • ロックインアンプの出力は1 次微分です。
    ロックインアンプの調波測定機能を利用することで、参照信号の2倍の周波数測定が可能です(2次微分出力)。

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